两位知情消息人士透露，中国存储芯片制造商长鑫存储技术有限公司（ChangXin Memory Technologies，简称 CXMT）计划最早于明年第一季度在上海启动首次公开募股（IPO），目标估值最高达 3000 亿元人民币（约合 421.2 亿美元）。
长鑫存储成立于 2016 年，背后有政府支持，是中国在全球 DRAM（动态随机存取存储器）市场抢占一席之地的核心力量 —— 该市场长期以来一直由日本、韩国和美国企业主导。
两位消息人士表示，作为中国领先的 DRAM 制造商，长鑫存储此次 IPO 计划募资 200 亿至 400 亿元人民币。
第三位消息人士补充称，公司目标募资额约为 300 亿元人民币，最早可能在 11 月向投资者披露招股说明书。
由于该计划尚未公开，上述消息人士均要求匿名。他们同时提醒，IPO 的具体细节（如时间安排、募资规模、估值等）可能会根据市场需求发生变化。
长鑫存储启动 IPO 计划之际，恰逢中国半导体板块股价大幅上涨 —— 截至目前，基准的中证半导体指数（CSI CN semiconductor index）今年以来已累计上涨约 49%。
今年 7 月，长鑫存储的母公司已启动 IPO “辅导程序”（企业上市前接受券商指导规范的流程），并聘请了国有投行中国国际金融股份有限公司（中金公司）和中信建投证券担任承销商。
不过，当时的披露信息并未提及公司将在何地、何时上市。
截至发稿，长鑫存储尚未回应置评请求。
其中两位消息人士表示，预计长鑫存储的 IPO 将吸引国内投资者的强劲需求 —— 这些投资者希望通过投资支持中国在半导体领域实现 “自给自足” 的目标。
为追赶韩国 SK 海力士（SK Hynix）、三星（Samsung）等市场龙头，长鑫存储正投入重金，尤其在高带宽存储器（HBM）领域加大研发与产能建设力度。
HBM 是一种特殊类型的 DRAM，对研发先进处理器至关重要（例如英伟达用于生成式人工智能的图形处理器）。
美国实施限止后，长鑫存储的进展对中国至关重要
2024 年 12 月，美国为阻碍中国人工智能产业发展，限止长鑫存储获取 HBM 芯片。此后，长鑫存储的技术突破与产能扩张，对中国而言变得愈发关键。
长鑫存储选择此时推进 IPO，也正值全球存储市场发生重大变化之际：
路透社上周报道，美国存储芯片制造商美光科技（Micron Technology）计划退出中国服务器芯片业务 —— 两年前，中国政府以安全为由，禁止美光产品进入关键信息基础设施领域。
此外，全球范围内对人工智能芯片的生产热潮，正导致智能手机、计算机、服务器所用存储芯片的供应趋紧，这为存储芯片制造商带来了意外的增长动力。
加拿大研究公司 TechInsights 的数据显示，2023 年和 2024 年，长鑫存储的资本支出（capex）预计在 60 亿至 70 亿美元之间；若美国不进一步施加限止，2025 年其资本支出预计将增长 5%。
目前，长鑫存储正在上海（中国商业中心）建设一座 HBM 后端封装工厂，目标是在明年年底前投产。
第三位和第四位知情消息人士透露，该工厂 HBM 晶圆的初始月产能约为 3 万片，略低于韩国 SK 海力士产能的五分之一。
两位消息人士表示，长鑫存储计划在 2026 年实现第四代高带宽存储器（即 HBM3 芯片）的生产。
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